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GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1 - Global Power Technologies Group

Numéro d'article: GSID600A120S4B1
Fabricant: Global Power Technologies Group
Brève description: SILICON IGBT MODULES
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: GSID600A120S4B1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: GSID600A120S4B1.pdf
Catégorie: Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 159 pcs
Prix de référence: USD 167.2325/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

GSID600A120S4B1 Description détaillée

Numéro d'article	GSID600A120S4B1
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	-
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	1130A
Puissance - Max	3060W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 600A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	51nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module
Poids	-
Pays d'origine	-

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