GSID600A120S4B1 - Global Power Technologies Group

Número de pieza: GSID600A120S4B1
Fabricante: Global Power Technologies Group
Breve descripción: SILICON IGBT MODULES
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 157 pcs
Precio de referencia: USD 167.2325/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	GSID600A120S4B1
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	-
Configuración	Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	1130A
Potencia - Max	3060W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 600A
Corriente - corte de colector (máximo)	1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	51nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	Yes
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	Module
Peso	-
País de origen	-