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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Modules de circuit d'attaque de puissance › GCMS080A120B1H1
GCMS080A120B1H1

GCMS080A120B1H1 - Global Power Technologies Group

Numéro d'article
GCMS080A120B1H1
Fabricant
Global Power Technologies Group
Brève description
SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GCMS080A120B1H1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GCMS080A120B1H1.pdf
Catégorie
Modules de circuit d'attaque de puissance
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
155 pcs
Prix ​​de référence
USD 173.764/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour GCMS080A120B1H1

GCMS080A120B1H1 Description détaillée

Numéro d'article GCMS080A120B1H1
État de la pièce Active
Type MOSFET
Configuration Full Bridge
Actuel 40A
Tension 1200V
Voltage - Isolation 2500Vrms
Paquet / cas Power Module
Poids -
Pays d'origine -

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