GC10MPS12-252 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	GC10MPS12-252
État de la pièce	Active
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	50A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.8V @ 10A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F	660pF @ 1V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur	TO-252-2
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GC10MH	ZOWIE	Rectifier Diode	Détails
GC10MLH	ZOWIE	Low VF Rectifier Diode	Détails
GC10MPS12-220	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2	Détails
GC10MPS12-252	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2	Détails