GC10MPS12-252 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GC10MPS12-252
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	50A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 10A
Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F	660pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket	TO-252-2
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GC10MH	ZOWIE	Rectifier Diode	Einzelheiten
GC10MLH	ZOWIE	Low VF Rectifier Diode	Einzelheiten
GC10MPS12-220	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 10A TO-220-2	Einzelheiten
GC10MPS12-252	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2	Einzelheiten