DB157G

DB157G - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
DB157G
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
DB157G.pdf
Catégorie
Diodes - Ponts redresseurs
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
93011 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2783/pcs
Notre prix
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DB157G Description détaillée

Numéro d'article DB157G
État de la pièce Active
Type de diode Single Phase
La technologie Standard
Tension - Peak Reverse (Max) 1000V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1.5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 1.5A
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 1000V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Package de périphérique fournisseur DB
Poids -
Pays d'origine -

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