DB157G - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	DB157G
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Single Phase
Technologie	Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max)	1000V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1.5A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5µA @ 1000V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Lieferantengerätepaket	DB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DB- SMART-AUDIO-APQ8009-0-A	Qualcomm	AUDIO DEV KIT W/O ACOUSTICS	Einzelheiten
DB-19977-2	Cinch Connectivity Solutions	CONN BACKSHELL DB25 STEEL	Einzelheiten
DB-20962	Cinch Connectivity Solutions	CONN BACKSHELL DB25 STEEL	Einzelheiten
DB-24659-32	Cinch Connectivity Solutions	CONN BACKSHELL DB25 METAL	Einzelheiten
DB-25P-1A2N-K87	ITT Cannon, LLC	CONN D-SUB PLUG 25POS R/A PCB	Einzelheiten
DB-25P-1A7N-K87	ITT Cannon, LLC	CONN D-SUB PLUG 25POS R/A PCB	Einzelheiten
DB-25P-1AFN-A191-K87	ITT Cannon, LLC	CONN D-SUB PLUG 25POS R/A PCB	Einzelheiten
DB-25P-A190-K87	ITT Cannon, LLC	CONN D-SUB PLUG 25POS PNL MNT	Einzelheiten
DB-25P-A191-K87	ITT Cannon, LLC	CONN D-SUB PLUG 25POS PNL MNT	Einzelheiten
DB-25P-K87	ITT Cannon, LLC	CONN D-SUB PLUG 25POS PNL MNT	Einzelheiten