DB157G

DB157G - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer
DB157G
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Kurze Beschreibung
DIODE BRIDGE 1000V 1.5A DB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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DB157G.pdf
Kategorie
Dioden - Brückengleichrichter
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
92184 pcs
Referenzpreis
USD 0.2783/pcs
Unser Preis
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DB157G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DB157G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Single Phase
Technologie Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) 1000V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1.5A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5µA @ 1000V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Lieferantengerätepaket DB
Gewicht -
Ursprungsland -

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