MB85R4M2TFN-G-ASE1 - Fujitsu Electronics America, Inc.

Numéro d'article	MB85R4M2TFN-G-ASE1
État de la pièce	Active
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de la mémoire	FRAM
La technologie	FRAM (Ferroelectric RAM)
Taille mémoire	4Mb (256K x 16)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	150ns
Temps d'accès	150ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.8 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package de périphérique fournisseur	44-TSOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MB85R4001ANC-GE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP	Détails
MB85R4002ANC-GE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP	Détails
MB85R4M2TFN-G-ASE1	Fujitsu Electronics America, Inc.	IC FRAM 4MBIT 150NS 44TSOP	Détails