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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › MB85R4M2TFN-G-ASE1
MB85R4M2TFN-G-ASE1

MB85R4M2TFN-G-ASE1 - Fujitsu Electronics America, Inc.

Artikelnummer
MB85R4M2TFN-G-ASE1
Hersteller
Fujitsu Electronics America, Inc.
Kurze Beschreibung
IC FRAM 4MBIT 150NS 44TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MB85R4M2TFN-G-ASE1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2085 pcs
Referenzpreis
USD 14.37/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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MB85R4M2TFN-G-ASE1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MB85R4M2TFN-G-ASE1
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FRAM
Technologie FRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße 4Mb (256K x 16)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 150ns
Zugriffszeit 150ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.8 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket 44-TSOP
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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