MB85R256GPF-G-BND-ERE1

MB85R256GPF-G-BND-ERE1 - Fujitsu Electronics America, Inc.

Numéro d'article
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Fabricant
Fujitsu Electronics America, Inc.
Brève description
IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4110 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Description détaillée

Numéro d'article MB85R256GPF-G-BND-ERE1
État de la pièce Obsolete
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FRAM
La technologie FRAM (Ferroelectric RAM)
Taille mémoire 256Kb (32K x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 150ns
Temps d'accès 150ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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