RFD14N05L - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	RFD14N05L
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	14A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 25V
Vgs (Max)	±10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 14A, 5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-251AA
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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RFD10P03LSM	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA	Détails
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RFD14N05	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK	Détails
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