HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
HGT1S2N120CN
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
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1 Day
Code de date
New
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3633 pcs
Prix ​​de référence
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HGT1S2N120CN Description détaillée

Numéro d'article HGT1S2N120CN
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 13A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Puissance - Max 104W
Échange d'énergie 96µJ (on), 355µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 30nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 25ns/205ns
Condition de test 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package de périphérique fournisseur TO-262
Poids -
Pays d'origine -

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