HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
HGT1S20N60A4S9A
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
HGT1S20N60A4S9A Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
HGT1S20N60A4S9A.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4377 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A Description détaillée

Numéro d'article HGT1S20N60A4S9A
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 280A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
Puissance - Max 290W
Échange d'énergie 105µJ (on), 150µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 142nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/73ns
Condition de test 390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR HGT1S20N60A4S9A