FQU11P06TU - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	FQU11P06TU
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9.4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185 mOhm @ 4.7A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	I-Pak
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FQU10N20CTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK	Détails
FQU10N20LTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK	Détails
FQU10N20TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK	Détails
FQU10N20TU_AM002	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK	Détails
FQU11P06TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK	Détails
FQU12N20TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 200V 9A IPAK	Détails
FQU13N06L	FSC	FQU13N06L FSC TO-251 New Original Stocks	Détails
FQU13N06LTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK	Détails
FQU13N06LTU-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK	Détails
FQU13N06LTU_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK	Détails