FQA16N25C - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	FQA16N25C
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	17.8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	53.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1080pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 8.9A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3P
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FQA10N60C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P	Détails
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FQA10N80C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Détails
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