FQA10N60C - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	FQA10N60C
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2040pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3PN
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FQA10N60C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P	Détails
FQA10N80	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P	Détails
FQA10N80C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Détails
FQA10N80C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Détails
FQA10N80C_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P	Détails
FQA10N80_F109	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P	Détails
FQA11N90	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	Détails
FQA11N90-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P	Détails
FQA11N90C	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	Détails
FQA11N90C-F109	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P	Détails