FDMS3660AS

FDMS3660AS - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDMS3660AS
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FDMS3660AS Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
15000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.6554/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FDMS3660AS

FDMS3660AS Description détaillée

Numéro d'article FDMS3660AS
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur Power56
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FDMS3660AS