| Numéro d'article | FDMS004N08C |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 80V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 126A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 44A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4250pF @ 40V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 125W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Paquet / cas | 8-PowerTDFN |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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FDMS003N08C | ON Semiconductor | FET ENGR DEV-NOT REL | Détails |
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FDMS0308CS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V POWER56 | Détails |
