| Numéro d'article | FDMQ8203 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V, 80V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.4A, 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 50V |
| Puissance - Max | 2.5W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 12-WDFN Exposed Pad |
| Package de périphérique fournisseur | 12-MLP (5x4.5) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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