FDMD8280

FDMD8280 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDMD8280
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FDMD8280 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
16751 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.5246/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FDMD8280

FDMD8280 Description détaillée

Numéro d'article FDMD8280
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 40V
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 12-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 12-Power3.3x5
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FDMD8280