FDB3672_F085

FDB3672_F085 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDB3672_F085
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FDB3672_F085 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
20698 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.2247/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FDB3672_F085

FDB3672_F085 Description détaillée

Numéro d'article FDB3672_F085
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 44A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FDB3672_F085