FDB3672_F085

FDB3672_F085 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FDB3672_F085
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FDB3672_F085 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
20621 pcs
Referenzpreis
USD 1.2247/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern FDB3672_F085

FDB3672_F085 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FDB3672_F085
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 120W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 44A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR FDB3672_F085