EPC2110 - EPC

Numéro d'article	EPC2110
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Caractéristique	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)	120V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 60V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	-
Paquet / cas	Die
Package de périphérique fournisseur	Die
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
EPC-2325	EXSHINE	PCI/ISA Single Board Computer	Détails
EPC.00.250.NTN	LEMO	CONN NIMCAMAC RCPT STR 50OHM PCB	Détails
EPC.0B.304.HLN	LEMO	CONN RCPT FMALE 4POS GOLD SOLDER	Détails
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EPC1008H	EXSHINE	Ethernet DC/DC Converter	Détails
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EPC1064LC20	Altera	IC CONFIG DEVICE 20PLCC	Détails
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EPC1064PC8	Altera	IC CONFIG DEVICE 65KBIT 8DIP	Détails
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