EPC2035

EPC2035 - EPC

Numéro d'article
EPC2035
Fabricant
EPC
Brève description
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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100000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3589/pcs
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EPC2035 Description détaillée

Numéro d'article EPC2035
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 800µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 30V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 1A, 5V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur Die
Paquet / cas Die
Poids -
Pays d'origine -

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