EPC2035

EPC2035 - EPC

Artikelnummer
EPC2035
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
100000 pcs
Referenzpreis
USD 0.3589/pcs
Unser Preis
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EPC2035 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2035
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 800µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 30V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 1A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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