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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices › ZXTDE4M832TA
ZXTDE4M832TA

ZXTDE4M832TA - Diodes Incorporated

Numéro d'article
ZXTDE4M832TA
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4067 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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ZXTDE4M832TA Description détaillée

Numéro d'article ZXTDE4M832TA
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 3.5A, 2.5A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 80V, 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 25nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Puissance - Max 1W
Fréquence - Transition 160MHz, 180MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-MLP (3x2)
Poids -
Pays d'origine -

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