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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › ZXTDE4M832TA
ZXTDE4M832TA

ZXTDE4M832TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXTDE4M832TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXTDE4M832TA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3705 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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ZXTDE4M832TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXTDE4M832TA
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3.5A, 2.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 80V, 70V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 160MHz, 180MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x2)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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