ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC - Diodes Incorporated

Numéro d'article
ZXMN6A09DN8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
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3936 pcs
Prix ​​de référence
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ZXMN6A09DN8TC Description détaillée

Numéro d'article ZXMN6A09DN8TC
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1407pF @ 40V
Puissance - Max 1.25W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP
Poids -
Pays d'origine -

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