ZXMN6A09DN8TC - Diodes Incorporated

Número de pieza: ZXMN6A09DN8TC
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	ZXMN6A09DN8TC
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	24.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1407pF @ 40V
Potencia - Max	1.25W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP
Peso	-
País de origen	-

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