| Numéro d'article | GB1600025 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | - |
| La fréquence | - |
| Stabilité de fréquence | - |
| Tolérance de fréquence | - |
| Capacité de charge | - |
| ESR (résistance série équivalente) | - |
| Mode de fonctionnement | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Évaluations | - |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Taille / Dimension | - |
| Hauteur - Assis (Max) | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
|
GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Détails |
 |
GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | Détails |
|
GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Détails |
 |
GB100TS60K | IR | GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks | Détails |
 |
GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | Détails |
|
GB1020003 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Détails |
 |
GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 | Détails |
|
GB10RF60K | ORIGINAL | GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | Détails |
 |
GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A | Détails |
 |
GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | Détails |
