DN0150BLP4-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DN0150BLP4-7
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max	450mW
Fréquence - Transition	60MHz
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	3-XFDFN
Package de périphérique fournisseur	X2-DFN1006-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DN0150ADJ-7	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963	Détails
DN0150ALP4-7	Diodes Incorporated	TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3	Détails
DN0150ALP4-7B	Diodes Incorporated	TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3	Détails
DN0150BDJ-7	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963	Détails
DN0150BLP4-7	Diodes Incorporated	TRANS NPN 50V 0.1A X1-DFN1006-3	Détails
DN0150BLP4-7B	Diodes Incorporated	TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3	Détails