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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › DN0150BLP4-7
DN0150BLP4-7

DN0150BLP4-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DN0150BLP4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 50V 0.1A X1-DFN1006-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DN0150BLP4-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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DN0150BLP4-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DN0150BLP4-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Leistung max 450mW
Frequenz - Übergang 60MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 3-XFDFN
Lieferantengerätepaket X2-DFN1006-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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