DMP2006UFG-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMP2006UFG-13
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	17.5A (Ta), 40A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7500pF @ 10V
Vgs (Max)	±10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerDI3333-8
Paquet / cas	8-PowerWDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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