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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › DMNH6012SPSQ-13
DMNH6012SPSQ-13

DMNH6012SPSQ-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DMNH6012SPSQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
MOSFET NCH 60V 50A POWERDI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DMNH6012SPSQ-13 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.7165/pcs
Notre prix
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DMNH6012SPSQ-13 Description détaillée

Numéro d'article DMNH6012SPSQ-13
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1926pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerDI5060-8
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

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