DMNH6008SPSQ-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMNH6008SPSQ-13
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	16.5A (Ta), 88A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40.1nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2597pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerDI5060-8
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMNH6008SCT	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 130A TO220AB	Détails
DMNH6008SCTQ	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 130A TO220AB	Détails
DMNH6008SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI	Détails
DMNH6008SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI	Détails
DMNH6011LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR	Détails
DMNH6011LK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V TO252 TR	Détails
DMNH6012LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 60A TO252	Détails
DMNH6012LK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 80A TO252	Détails
DMNH6012SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI	Détails
DMNH6012SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 60V 50A POWERDI	Détails