DMN3730UFB4-7B - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN3730UFB4-7B
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	750mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	64.3pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	470mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	X2-DFN1006-3
Paquet / cas	3-XFDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN3730U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23	Détails
DMN3730UFB-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 750MA DFN	Détails
DMN3730UFB4-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 750MA DFN	Détails
DMN3730UFB4-7B	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V X1-DFN1006	Détails