| Numéro d'article | DMN10H170SVTQ-13 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1167pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TSOT-26 |
| Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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DMN10H099SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A | Détails |
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DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | Détails |
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | Détails |
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DMN10H100SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 18A TO252 | Détails |
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DMN10H120SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 | Détails |
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DMN10H120SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | Détails |
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DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | Détails |
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DMN10H170SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Détails |
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DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Détails |
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DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Détails |
