Numéro d'article | DMG4N65CT |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 2.19W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / cas | TO-220-3 |
Poids | - |
Pays d'origine | - |