DMG1026UV-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMG1026UV-7
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.45nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	32pF @ 25V
Puissance - Max	580mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	SOT-563
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMG1012T-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR	Détails
DMG1012T-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523	Détails
DMG1012T-7-F	DIODES	DMG1012T-7-F DIODES SOT-23 New Original Stocks	Détails
DMG1012TQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523	Détails
DMG1012UW-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1A SOT323	Détails
DMG1013T	DIODES	DMG1013T DIODES SOT523 New Original Stocks	Détails
DMG1013T-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523	Détails
DMG1013TQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523	Détails
DMG1013UW	DIODES	DMG1013UW DIODES SOT323 New Original Stocks	Détails
DMG1013UW-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323	Détails