DMC3016LSD-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMC3016LSD-13
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8.2A, 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25.1nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1415pF @ 15V
Puissance - Max	1.2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur	8-SO
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMC3016LDV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	Détails
DMC3016LDV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	Détails
DMC3016LNS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	Détails
DMC3016LNS-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	Détails
DMC3016LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO	Détails
DMC3018LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC	Détails
DMC3021LK4-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L	Détails
DMC3021LSD	DIODES	DMC3021LSD DIODES SO-8 New Original Stocks	Détails
DMC3021LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO	Détails
DMC3021LSDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO	Détails