DMC3016LNS-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMC3016LNS-7
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Puissance - Max	1.3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur	PowerDI3333-8
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMC3016LDV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	Détails
DMC3016LDV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	Détails
DMC3016LNS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	Détails
DMC3016LNS-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333	Détails
DMC3016LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO	Détails
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DMC3021LSD	DIODES	DMC3021LSD DIODES SO-8 New Original Stocks	Détails
DMC3021LSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO	Détails
DMC3021LSDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO	Détails