DMC2990UDJQ-7B - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMC2990UDJQ-7B
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	450mA (Ta), 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
Puissance - Max	350mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-963
Package de périphérique fournisseur	SOT-963
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMC2990UDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V SOT963	Détails
DMC2990UDJQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963	Détails
DMC2990UDJQ-7B	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963	Détails