DMC2990UDJQ-7B - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMC2990UDJQ-7B
Teilstatus	Active
FET Typ	N and P-Channel Complementary
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	450mA (Ta), 310mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
Leistung max	350mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-963
Lieferantengerätepaket	SOT-963
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMC2990UDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N/P-CH 20V SOT963	Einzelheiten
DMC2990UDJQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963	Einzelheiten
DMC2990UDJQ-7B	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963	Einzelheiten