DGD2304S8-13

DGD2304S8-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DGD2304S8-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
IC GATE DRVR HV SO8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Durée de conservation
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
181250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.504/pcs
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DGD2304S8-13 Description détaillée

Numéro d'article DGD2304S8-13
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 0.7V, 2.3V
Courant - sortie de crête (source, évier) 290mA, 600mA
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 600V
Rise / Fall Time (Typ) 70ns, 35ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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