DGD21032S8-13

DGD21032S8-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article
DGD21032S8-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
IC GATE DVR HV 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
DGD21032S8-13.pdf
Catégorie
Durée de conservation
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1 Day
Code de date
New
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Prix ​​de référence
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DGD21032S8-13 Description détaillée

Numéro d'article DGD21032S8-13
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.5V
Courant - sortie de crête (source, évier) 290mA, 600mA
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 600V
Rise / Fall Time (Typ) 70ns, 35ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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