DGD2118S8-13 Description détaillée
Numéro d'article |
DGD2118S8-13 |
État de la pièce |
Active |
Configuration pilotée |
High-Side |
Type de canal |
Single |
Nombre de pilotes |
1 |
Type de porte |
IGBT, N-Channel MOSFET |
Tension - Alimentation |
10 V ~ 20 V |
Tension logique - VIL, VIH |
6V, 9.5V |
Courant - sortie de crête (source, évier) |
290mA, 600mA |
Type d'entrée |
Non-Inverting |
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) |
600V |
Rise / Fall Time (Typ) |
75ns, 35ns |
Température de fonctionnement |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de périphérique fournisseur |
8-SO |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR DGD2118S8-13