BAS16HTWQ-13R - Diodes Incorporated

Numéro d'article	BAS16HTWQ-13R
État de la pièce	Active
Configuration de diode	3 Independent
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	200mA (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.25V @ 150mA
La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr)	4ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	500nA @ 80V
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 150°C
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	SOT-363
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BAS16	Panasonic Electronic Components	DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3	Détails
BAS16 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23	Détails
BAS16(A6)	PHILIPS	BAS16(A6) PHILIPS SOT-23 New Original Stocks	Détails
BAS16,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23	Détails
BAS16,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23	Détails
BAS16-02W	INFINEON	BAS16-02W INFINEON SOT-06.. New Original Stocks	Détails
BAS16-03W	Infineon	BAS16-03W Infineon SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
BAS16-03WE6327	INFINEON	BAS16-03WE6327 INFINEON SOD323 New Original Stocks	Détails
BAS16-7	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3	Détails
BAS16-7-99-F	DIODESINCORPORATED	BAS16-7-99-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks	Détails