BAS16HTWQ-13R - Diodes Incorporated

Artikelnummer	BAS16HTWQ-13R
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	3 Independent
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	500nA @ 80V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-65°C ~ 150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	SOT-363
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BAS16	Panasonic Electronic Components	DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3	Einzelheiten
BAS16 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23	Einzelheiten
BAS16(A6)	PHILIPS	BAS16(A6) PHILIPS SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
BAS16,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23	Einzelheiten
BAS16,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23	Einzelheiten
BAS16-02W	INFINEON	BAS16-02W INFINEON SOT-06.. New Original Stocks	Einzelheiten
BAS16-03W	Infineon	BAS16-03W Infineon SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
BAS16-03WE6327	INFINEON	BAS16-03WE6327 INFINEON SOD323 New Original Stocks	Einzelheiten
BAS16-7	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3	Einzelheiten
BAS16-7-99-F	DIODESINCORPORATED	BAS16-7-99-F DIODESINCORPORATED SOT 23 New Original Stocks	Einzelheiten