1N4448HWS-7-F - Diodes Incorporated

Numéro d'article	1N4448HWS-7-F
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	80V
Courant - Rectifié moyen (Io)	250mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.25V @ 150mA
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	4ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	100nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F	3.5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-76, SOD-323
Package de périphérique fournisseur	SOD-323
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
1N4444-1	Microsemi Corporation	DIODE SWITCHING	Détails
1N4446	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35	Détails
1N4446 BK	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35	Détails
1N4446 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35	Détails
1N4446TR	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	Détails
1N4446_T50R	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	Détails
1N4447	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V DO35	Détails
1N4447TR	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V DO35	Détails
1N4448	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	Détails
1N4448 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35	Détails