1N4447 - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article	1N4447
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io)	-
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	-
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	-
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	DO-204AH, DO-35, Axial
Package de périphérique fournisseur	DO-35
Température de fonctionnement - Jonction	175°C (Max)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
1N-SS119	SEMTECH_ELEC	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE	Détails
1N-SS254	SEMTECH	Packing Specification of 52mm Ammo Pack	Détails
1N102	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	Détails
1N103	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	Détails
1N104	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	Détails
1N107	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	Détails
1N108	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	Détails
1N1081	EXSHINE	1N1081	Détails
1N1081A	EXSHINE	1N1081	Détails
1N1082	EXSHINE	1N1081	Détails